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长江存储量产64层3D NAND闪存 一文盘点2019年存储产

更新时间:2019-10-08

  与2018年的并购、建厂、扩产、投产相比,到目前为止,今年的存储器领域并未出现大规模的并购建厂,而是更加注重技术的升级、以及新产品的研发。

  国内企业方面长江存储和合肥长鑫两个重大项目的投产,无疑为其他存储器企业增添了信心。

  6月30日,紫光集团正式宣布组建紫光集团事业群,为此紫光集团组建了DRAM事业群,由刁石京任事业群董事长,高启全为事业群CEO。

  众所周知,紫光集团此前一直以NAND Flash为存储器重点发展方向,如今,DRAM事业群的组建意味着紫光集团正式进军DRAM领域。

  随后,紫光迅速布局,并于8月27日与重庆市政府签署了合作协议,将在重庆建设DRAM总部研发中心、紫光DRAM事业群总部、DRAM存储芯片制造工厂等。其中紫光重庆DRAM存储芯片制造工厂主要专注于12英寸DRAM存储芯片的制造,该工厂计划于2019年底开工建设,预计2021年建成投产。

  紫光集团旗下长江存储的64层3D NAND闪存芯片在第二届中国国际智能产业博览会上首次公开展出。

  随后,长江存储在其官方微信正式宣布,已经量产64层256 Gb TLC 3D NAND闪存,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。

  据了解,长江存储64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品。而Xtacking架构是长江存储于今年8月推出的全新3D NAND架构,通过此架构引入批量生产,可以显著提升产品性能、缩短开发周期和生产制造周期。

  在2019世界人工智能大会期间,长江存储上海研发中心落子上海集成电路设计产业园。

  据张江高科报道,紫光长存(上海)集成电路有限公司(以下简称“紫光长存”)与张江高科签约的长江存储上海研发中心为自主研发存储芯片项目,属芯片领域卡脖子关键产品,预计研发投入每年不低于1亿元。

  国家企业信息公示系统显示,紫光长存成立于2019年4月,注册资本5000万元,由长江存储科技有限责任公司100%持股。主要从事集成电路及相关产品的设计、研发、销售,并提供相关领域内的技术服务及技术咨询,从事货物及技术进出口业务。

  9月20日,在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上,长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产,其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相。

  据了解,长鑫存储内存芯片自主制造项目于2016年5月由合肥市政府旗下投资平台合肥产投与细分存储器国产领军企业兆易创新共同出资组建,是安徽省单体投资最大的工业项目,一期设计产能每月12万片晶圆。

  目前,该项目已通过层层评审,并获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。

  据长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明表示,投产的8Gb DDR4已经通过多个国内外大客户的验证,今年底正式交付。

  9月21日,在2019世界制造业大会上,合肥市政府与长鑫存储技术有限公司、华侨城集团有限公司、北方华创科技集团股份有限公司等就合肥长鑫集成电路制造基地项目签约。

  合肥长鑫集成电路制造基地项目总投资超过2200亿元,选址位于合肥空港经济示范区,占地面积约15.2平方公里,由长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目、空港集成电路配套产业园和合肥空港国际小镇三个片区组成。

  其中长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目总投资1500亿元;空港集成电路配套产业园总投资超过200亿元,位于长鑫存储项目以西;合肥空港国际小镇总投资约500亿元,规划面积9.2平方公里,总建筑面积420万平方米,位于长鑫存储项目以北。

  制造基地全部建成后,预计可形成产值规模超2000亿元,集聚上下游龙头企业超200家,吸引各类人才超20万人。

  今年5月,东芝存储器和西数达成正式协议,共同投资东芝存储器目前正在日本岩手县北上市建造的“K1”制造工厂。

  据了解,K1工厂将生产3D NAND Flash,以支持数据中心,智能手机和自动驾驶汽车等应用中不断增长的存储需求。

  东芝存储器表示,K1工厂的建设预计将在2019年秋季完成,而东芝存储器和西部数据对K1工厂设备的联合投资将从2020年开始实现96层3D NAND Flash的初始生产,预计产量更高的时间则在2020年晚些时候开始。

  6月15日,日本四日市市停电13分钟,而东芝存储器因为在该市拥有多个工厂也随之备受关注。16311香港白小姐太原丽都整形做双眼皮口碑安心之

  东芝存储器在四日市市运营5个晶圆厂(分别为NY2,Y3,Y4,Y5和Y6),尽管东芝存储器正试图将其生产基地扩展到岩手县的北上市,但就目前而言,其NAND生产仍旧以四日市市为中心。

  据悉,该事件也影响了西数和东芝存储器共同运营的生产设备,西数表示,事件对晶圆和制造设备的损害将使西数的损失达到3.39亿美元,同时也使其第三季度的NAND晶圆供应量减少约6 EB (exabytes)。

  7月18日,东芝存储器宣布,将于2019年10月1日正式更名为Kioxia公司。全球所有东芝存储器公司都会采用新的品牌名称Kioxia,基本上同一天生效。而东芝电子(中国)有限公司计划将于2020年春天完成更名。

  东芝存储器称,融合了“记忆”与“价值”的双重含义,Kioxia代表了公司以“存储”助力世界发展的使命,同时也是公司愿景的基石。

  从1987年发明了NAND闪存,到近期又推出最新3D NAND BiCS FLASHTM,东芝存储器推动了闪存NAND的技术发展。

  东芝表示,Kioxia将开创新的存储器时代,以应对日益增大的容量、高性能存储和数据处理的需求。

  8月30日,光宝宣布,将旗下固态储存 (SSD) 事业部门分割让予100%持股的子公司建兴,然后再以股权出售方式,将固态储存事业部转让予东芝存储器。

  其中出售的内容包括存货、机器设备、员工团队、技术与知识产权、客户供应商关系等营业与资产,交易对价金额暂定为现金1.65亿美元,而整起股权出售案预计2020年4月1日完成。

  对于该收购案,集邦咨询半导体研究中心 (DRAMeXchange) 认为,光宝旗下的固态存储事业具效率与灵活度的优势,东芝存储器将有机会借着此次购并产生质的飞跃。

  今年5月,美国商务部将华为列入一项黑名单后,美国存储芯片大厂美光也停止了华为的出货。然而,不久之后,有外媒报道,美光执行长Sanjay Mehrotra表示,在评估美国对华为的禁售令之后,已经恢复部分芯片出货。

  美光确定,可以合法恢复一部分现有产品出货,因为这些产品不受出口管理条例 (EAR) 和实体清单的限制。Mehrotra同时指出,因为华为的情况依然存在不确定性,因此美光无法预测对华为出货的产品数量或持续时间。

  据了解,美光位于日本广岛的DRAM工厂 (Fab 15) 采用的是最先进制程技术。其中,该厂最新的生产厂房B栋已于6月初落成启用,其无尘室的面积较原先扩大了10%。

  该厂原本预计在2020年的7月份完成兴建,如今已经延迟到2021年的2月份,足足向后延迟了7个月的时间。

  至于为何延迟投资?TrendForce集邦咨询表示,全球贸易摩擦升温恐致今年下半年需求急冻、不确定性氛围提高,使得资料中心的资本支出放缓,预计在今年年底前,承压能力差的DRAM供应商恐怕将认列账面上现有库存损失,财务报表正式转为亏损状况。所以,在这样的市场氛围下,美光对于先前规划的投资计划,不得不做出修正与调整。

  尽管美光在日本广岛的DRAM新厂投资计划被延迟,除此三家之外,www.94223.com,但在NAND Flash工厂的扩建方面,美光有了最新进展。2019年8月14日,美光宣布完成新加坡NAND Flash厂Fab 10A的扩建!

  扩建的Fab 10A为晶圆厂区无尘室空间带来运作上的弹性,可促进3D NAND技术先进制程节点的技术转型。另外,扩建的Fab 10A厂区将根据市场需求调整资本支出,在技术及产能转换调整情况下,Fab 10厂区总产能将保持不变。

  Sanjay Mehrotra表示,新厂区将视市场需求调整资本支出及产能规划,并应用先进3D NAND制程技术,进一步推动5G、AI、自动驾驶等关键技术转型。

  2019年第一季度,SK海力士财报表现不尽如人意,营收为6.77兆韩元,环比下滑32%,同比下滑22%;营业利润为1.37兆韩元,环比下滑69%,同比下滑69%;净利润1.1兆韩元,环比下滑68%,同比下滑65%。

  因此,SK海力士表示,为专注于改善收益,在NAND Flash部分,将停止生产成本较高的36层与48层3D NAND,同时提高72层产品的生产比重。

  在DRAM领域,将逐渐扩大第一代10纳米 (1X) 产量,并从下半年起,将主力产品更换为第二代10纳米 (1Y) 产品。与此同时,为支援新款服务器芯片的高用量DRAM需求,将开始供给64GB模块产品。

  6月26日,SK海力士宣布,已成功开发并开始量产世界上第一款128层1Tb TLC 4D NAND闪存芯片。

  在相同的4D平台和工艺优化下,SK海力士在现有96层NAND的基础上又增加了32层,使制造工艺总数减少了5%。与以往技术迁移相比,96层向128层NAND过渡的投资成本降低了60%,大大提高了投资效率。

  这款128层的1Tb NAND闪存芯片实现了业界最高的垂直堆叠,拥有3600多亿个NAND单元,每个单元在一个芯片上存储3位。相较于此前的96层4D NAND,SK海力士新的128层1Tb 4D NAND可使每块晶圆的位产能提高40%。

  在动态随机存取存储器 (DRAM) 制程陆续进入1X及1Y制程领域之后,三星电子于2019年3月21日宣布,开发第3代10纳米等级 (1Z纳米制程) 8GB高性能DRAM。

  而这也是三星发展1Y纳米制程DRAM之后,经历16个月,再开发出更先进制程的DRAM产品。

  随着1Z纳米制程产品问世,并成为业界最小的存储器生产节点,三星的生产效率比以前1Y纳米等版DDR4 DRAMUL4高20%以上。

  三星指出,跨入1Z纳米制程的DRAM生产,将为全球IT加快朝向下一代DRAM界面,包括DDR5、LPDDR5和GDDR6等预做准备。

  今年年初,三星宣布开始量产大容量行动式DRAM业界首款12GB LPDDR4X,而4个月之后,三星DRAM产品线再次增加新的成员。

  7月18日,三星电子官方宣布量产全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。据了解,三星12Gb LPDDR5 DRAM主要针对未来智能手机,优化其5G和AI功能。

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